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袁洪涛

 

        我的研究方向正是利用电双层场效应晶体管这种器件结构及其具有巨大界面电容耦合的工作原理,对低维半导体材料和量子材料体系中电子的电荷、自旋和轨道三种内禀属性进行调控,研究异质界面中场效应诱导的奇特低温量子输运和电子相变,进而完成对材料物理性质的调控、设计和实现。将来的研究中,会尤其关注低维电子体系在电场调控过程中表界面处的原子结构和电子结构演化过程,努力探索并理解其中原子尺度的微观物理机制,希望能够为全面理解这样一个异质界面体系并继而实现更多的全新器件功能奠定科学基础。

 

 

         袁洪涛,1979年生,2007年于中国科学院物理研究所获博士学位。2007-2010年在日本东北大学金属材料研究所开展博士后研究工作;2010-2012年随课题组转至东京大学应用物理系和东京大学量子相电子研究中心先后担任助理研究员和助理教授;2012-2017年在斯坦福大学应用物理系和SLAC加速器国家实验室先后担任助理研究员和副研究员,从事低维量子体系物理特性的场效应调制研究工作。2017年获得中组部第十三批“青年千人计划”支持,加入南京大学现代工程与应用科学学院材料物理系,任教授、博士生导师。2017年入选“江苏特聘教授”和“江苏双创人才”。

        目前研究兴趣是低维电子体系中物性的电场调控,尤其关注液栅场效应晶体管器件的设计和异质界面中场效应诱导的低温量子输运和电子相变。主要研究如何利用电解质材料在半导体和强关联材料体系表面形成高载流子浓度的电双层结构,实现高性能、低功耗、高导通的电双层场效应晶体管(Electric-Double-Layer Transistor)原型器件,探索各种在界面处发生的多种场效应诱导的奇异界面物理现象, 比如场效应诱导绝缘体超导相变、顺磁铁磁相变、自旋极化及自旋流的产生与调控等。截至2019年4月,已发表文章80余篇,包括Science、Nature子刊17篇,引用6000余次。申请并获得授权国内国际专利18项。

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